針對中低功率（≤5W）器件，在室溫+10℃~150℃的環(huán)境下對QFN、QFP、BGA、SOP、SSOP、TSSOP等各種封裝形式的中、小規(guī)模MCU、數(shù)字邏輯器件、SoC數(shù)字芯片、存儲芯片（FLASH、DRAM等）等進行高溫動態(tài)老化試驗和壽命評估試驗。同時系統(tǒng)采用TDBI技術，在老化過程中可對被測芯片進行邏輯功能測試。
┃ 單板信號通道數(shù) | 184路（ Bidirectional I/O） |
┃ 最大編程深度 | 64M Words(Max) |
┃ 信號最高頻率 | 20MHz |
┃ 邊沿種類 | 8 Edges |
┃ 向量邊沿格式 | 8種基本格式；D/U/Z/P ，L/H/X/T |
┃ 數(shù)字信號驅(qū)動電平 | VIH=0.6V~5.5V ， VIL≤0.8V； |
┃ 驅(qū)動電流能力 | ±200mA |
┃ 輸出信號邊沿屬性 | Tr≤10ns ，Tf≤10ns |
┃ 窗口比較器參考電平范圍 | VOH:0.6V~5.5V，VOL:0.6V~5.5V |
注：其中向量邊沿格式解析如下： D:輸出低電平；U:輸出高電平；Z：輸出高阻態(tài)；P：輸出保持；L:接收低電平；H:接收高電平；X：接收不關心；T：接收高阻態(tài)。
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