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中安
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BTR-T676(IGBT/SiC模塊H3TRB)
IGBT/SiC模塊高溫高濕偏置試驗(yàn)系統(tǒng)H3TRB

系統(tǒng)能通過配置不同老化板來滿足的各種封裝形式 IGBT/SiC模塊的高溫高濕反偏可靠性測(cè)試和老化篩選和雙85試驗(yàn)。


 高低溫(濕熱)試驗(yàn)箱

-20℃~+150℃ / 25~98%RH



 容量

8通道;最多12工位-單板;最多 96工位-整機(jī)



 試驗(yàn)電源

4臺(tái)正壓電源+4臺(tái)負(fù)電壓電源+Vg夾斷電壓(60V);量程范圍:Max ±2000V



 驅(qū)動(dòng)檢測(cè)板

 

數(shù)量:8塊


RB電壓檢測(cè)范圍   :0~±2000.0V;分辨率:0.1V;精度:±(0.5%+0.2V)

RB漏電流檢測(cè)范圍:0.001μA~50.0mA;分辨率:0.001μA;

                     精度:±(0.1%rdg.+0.01)μA



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