IGBT：絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。
是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
如何才能實(shí)現(xiàn)高的可靠性呢？這可以分為設(shè)計(jì)階段和批量生產(chǎn)兩個(gè)方面去實(shí)現(xiàn)：
設(shè)計(jì)階段考慮之一：封裝材料的選取，比如芯片技術(shù)、焊接材料、外殼封裝材料、芯片鈍化層的材料；
設(shè)計(jì)階段考慮之二：封裝連接工藝的采用，比如焊接工藝、燒結(jié)工藝、鍵合線的幾何形狀、彈簧連接；
設(shè)計(jì)階段考慮之三：芯片的布局，比如實(shí)現(xiàn)更好的均流，降低電磁干擾的影響；
批量生產(chǎn)中主要考慮穩(wěn)定的工藝實(shí)現(xiàn)過程及其精準(zhǔn)的控制。
在設(shè)計(jì)階段對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性測(cè)試顯得尤為重要。根據(jù)相應(yīng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了以下可靠性測(cè)試：
HTRB ，高溫反偏測(cè)試
HTGB，高溫門極（柵極）反偏測(cè)試
H3TRB ，高溫高濕反偏測(cè)試
HTS ，高溫存儲(chǔ)測(cè)試
LTS ，低溫存儲(chǔ)測(cè)試
TC ，熱循環(huán)測(cè)試
PC ，功率循環(huán)測(cè)試
Vibration ，振動(dòng)測(cè)試
Mechanical shock ，機(jī)械沖擊測(cè)試
